FA1A3Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FA1A3Q

Маркировка: L83

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для FA1A3Q

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FA1A3Q даташит

 ..1. Size:157K  nec
fa1a3q.pdfpdf_icon

FA1A3Q

Другие транзисторы: F123, F123A, F124, F124A, F2, F3, F4, F5, D667, FA1A4M, FA1A4P, FA1A4Z, FA1F4M, FA1F4N, FA1F4Z, FA1L3M, FA1L3N