Биполярный транзистор FA1A4Z - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FA1A4Z
Маркировка: L67_L68_L69
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
Корпус транзистора: SOT23
FA1A4Z Datasheet (PDF)
9.2. Size:33K nec
fa1a4m.pdf
fa1a4m.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTORFA1A4MMEDIUM SPEED SWITCHINGRESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTORMINI MOLDPACKAGE DIMENSIONSFEATURESin millimeters Resistors Built-in TYPE2.80.2C1.5 0.65+0.10.15BR12R2E31 Complementary to FN1A4MABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C)Collector to Base Voltage VCBO 60 VMarkingCollector to Emitter Voltage VCEO
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050