Биполярный транзистор FB4015 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FB4015
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
Корпус транзистора: TO77
FB4015 Datasheet (PDF)
irfb4019pbf.pdf
PD - 97075DIGITAL AUDIO MOSFETIRFB4019PbFFeaturesKey Parameters Key Parameters Optimized for Class-D AudioVDS 150 V Amplifier Applicationsm:RDS(ON) typ. @ 10V 80 Low RDSON for Improved EfficiencyQg typ. 13 nC Low QG and QSW for Better THD and ImprovedQsw typ. 5.1 nC EfficiencyRG(int) typ. 2.4 Low QRR for Better THD and Lower EMITJ max 175 C
irfb4019pbf.pdf
PD - 97075DIGITAL AUDIO MOSFETIRFB4019PbFFeaturesKey Parameters Key Parameters Optimized for Class-D AudioVDS 150 V Amplifier Applicationsm:RDS(ON) typ. @ 10V 80 Low RDSON for Improved EfficiencyQg typ. 13 nC Low QG and QSW for Better THD and ImprovedQsw typ. 5.1 nC EfficiencyRG(int) typ. 2.4 Low QRR for Better THD and Lower EMITJ max 175 C
irfb4019.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB4019IIRFB4019FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 95mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION175 operating junction temperature and repetitive avalanchecapabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
