FBN36485. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FBN36485
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для FBN36485
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FBN36485 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: FB3726, FB3727, FB3728, FB3729, FB4015, FB4016, FBC737, FBC738, 13007, FC100M, FC105, FC106, FC107, FC108, FC109, FC110, FC111
History: F115
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312
