Биполярный транзистор FC108 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FC108
Маркировка: 108
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT223
FC108 Datasheet (PDF)
fc108.pdf
Ordering number:EN3076FC108NPN Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorSwitching ApplicationsFeatures Package Dimensions On-chip bias resistors (R1=47k , R2=47k )unit:mm Composite type with 2 transistors contained in the2066CP package currently in use, improving the mount-[FC108]ing efficiency greatly. The FC108 is formed with two chips, being equiva-
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050