Биполярный транзистор FC115 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FC115
Маркировка: 115
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT223
FC115 Datasheet (PDF)
..1. Size:49K sanyo
fc115.pdf
fc115.pdf
Ordering number:EN3083FC115PNP Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorSwitching ApplicationsFeatures Package Dimensions On-chip bias resistors (R1=10k , R2=10k )unit:mm Composite type with 2 transistors contained in the2066CP package currently in use, improving the mount-[FC115]ing efficiency greatly. The FC115 is formed with two chips, being equiva-
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
