Биполярный транзистор FC116 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FC116
Маркировка: 116
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT223
FC116 Datasheet (PDF)
..1. Size:49K sanyo
fc116.pdf
fc116.pdf
Ordering number:EN3084FC116NPN Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorSwitching ApplicationsFeatures Package Dimensions On-chip bias resistors (R1=10k , R2=10k )unit:mm Composite type with 2 transistors contained in the2066CP package currently in use, improving the mount-[FC116]ing efficiency greatly. The FC116 is formed with two chips, being equiva-
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
