FGT8766. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FGT8766
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для FGT8766
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FGT8766 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: FF2222, FF2483, FF2484, FF2906, FF2907, FF3467, FF3725A, FGT3055, TIP42, FGT8766A, FGT8766B, FGT8766C, FGT8766D, FGT8766E, FJ0204-12, FJ0230-12, FJ0240-12
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor