Биполярный транзистор FK3502 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FK3502
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.175 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: MICRO-T
FK3502 Datasheet (PDF)
fk350301.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FK350301Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFK350301 is N-channel small signal MOS FET employed small size surface Codemounting package. SMini3-F2-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 2 W (VGS = 4.0 V) Pin
fk3506010l.pdf
Doc No. TT4-EA-12624Revision. 3Product StandardsMOS FETFK3506010LFK3506010LSilicon N-channel MOS FETUnit : mm For switching2.0FK330601 in SMini3 type package 0.3 0.133 Features Low drive voltage : 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)12 Marking Symbol :CV0.9(0.65)(0.65) Packaging1.3 Emb
fk350601.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FK350601Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFK350601 is N-channel small signal MOS FET employed small size surface Codemounting package. SMini3-F2-B Pin Name Features 1: Gate Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 6 W (VGS = 4.0 V) 2: Source High-spe
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
