Биполярный транзистор FMA10A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMA10A
Маркировка: A10
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
Корпус транзистора: SC74A
FMA10A Datasheet (PDF)
uma10n fma10a a10 sot353 sot23-5.pdf
UMA10N / FMA10A / IMB1TransistorsTransistorsUMG1
uma10n fma10a.pdf
UMA10N / FMA10ATransistorsGeneral purpose (dual digital transistors)UMA10N / FMA10A External dimensions (Units : mm) Features1) Two DTA113Z chips in a UMT package.UMA10N1.25 Equivalent circuits2.1UMA10N FMA10A(3) (2) (1) (3) (4) (5)0.1Min.R1 R1 R1 R1R2 R2 R2 R2ROHM : UMT5EIAJ : SC-88A Each lead has same dimensions(4) (6) (2) (1)JEDEC : SOT-353FMA10A Abs
chfma10gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHFMA10GPSURFACE MOUNT Dual Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SC-74A)SC-74A* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabili
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
