Справочник транзисторов. FMA11A

 

Биполярный транзистор FMA11A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: FMA11A
   Маркировка: A11
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SC74A

 Аналоги (замена) для FMA11A

 

 

FMA11A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  rohm
uma11n fma11a a11 sot23-5 sot353.pdf

FMA11A
FMA11A

TransistorsEmitter common(dual digital transistors)UMA11N / FMA11AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTA143Z chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon transistor(Built-in resistor type)The following characteristics apply toboth DTr1 and DTr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)

 9.1. Size:185K  chenmko
chfma11gp.pdf

FMA11A
FMA11A

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHFMA11GPSURFACE MOUNT Dual Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SC-74A)SC-74A* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabili

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top