FMA11A - описание и поиск аналогов

 

FMA11A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMA11A

Маркировка: A11

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC74A

 Аналоги (замена) для FMA11A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMA11A даташит

 ..1. Size:62K  rohm
 uma11n fma11a a11 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

FMA11A

Transistors Emitter common (dual digital transistors) UMA11N / FMA11A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA143Z chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor (Built-in resistor type) The following characteristics apply to both DTr1 and DTr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)

 9.1. Size:185K  chenmko
 chfma11gp.pdf pdf_icon

FMA11A

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHFMA11GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-74A) SC-74A * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabili

Другие транзисторы: FM708, FM709, FM720A, FM870, FM871, FM910, FM911, FMA10A, BD333, FMA1A, FMA2A, FMA3A, FMA4A, FMA5A, FMA6A, FMA7A, FMA8A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.