Биполярный транзистор FMA9A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMA9A
Маркировка: A10_A9
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SC74A
FMA9A Datasheet (PDF)
uma9n fma9a a10 sot23-5 sot353.pdf
UMA9N / FMA9ATransistorsDigital transistor(Common Emitter Dual Transistors)UMA9N / FMA9N Features External dimensions (Units : mm)1) Two DTA114E chips in UMT andUMA9N FMA9ASMT packages.2.90.22.00.21.1 +0.2 -0.11.90.20.90.11.30.12) Mounting cost and area can be cut0.80.10.95 0.950.65 0.650.7in half.(2)(3) (4) (5)(3) (1)0~0.10~0.1(
uma9n uma9n fma9a.pdf
Digital transistor (Common Emitter Dual Transistors) UMA9N / FMA9A Features Dimensions (Unit : mm) 1) Two DTA114E chips in UMT and SMT packages. UMA9N FMA9A2) Mounting cost and area can be cut in half. 2.90.22.00.21.1 +0.2 -0.11.90.20.90.11.30.1 0.80.10.95 0.950.65 0.65 0.7(2)(3) (4) (5)(3) (1)0~0.1Structure 0~0.1Epitaxial planar
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
