Биполярный транзистор FMA9A Даташит. Аналоги
Наименование производителя: FMA9A
Маркировка: A10_A9
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SC74A
- подбор биполярного транзистора по параметрам
FMA9A Datasheet (PDF)
uma9n fma9a a10 sot23-5 sot353.pdf

UMA9N / FMA9ATransistorsDigital transistor(Common Emitter Dual Transistors)UMA9N / FMA9N Features External dimensions (Units : mm)1) Two DTA114E chips in UMT andUMA9N FMA9ASMT packages.2.90.22.00.21.1 +0.2 -0.11.90.20.90.11.30.12) Mounting cost and area can be cut0.80.10.95 0.950.65 0.650.7in half.(2)(3) (4) (5)(3) (1)0~0.10~0.1(
uma9n uma9n fma9a.pdf

Digital transistor (Common Emitter Dual Transistors) UMA9N / FMA9A Features Dimensions (Unit : mm) 1) Two DTA114E chips in UMT and SMT packages. UMA9N FMA9A2) Mounting cost and area can be cut in half. 2.90.22.00.21.1 +0.2 -0.11.90.20.90.11.30.1 0.80.10.95 0.950.65 0.65 0.7(2)(3) (4) (5)(3) (1)0~0.1Structure 0~0.1Epitaxial planar
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180