Справочник транзисторов. FMMT3638

 

Биполярный транзистор FMMT3638 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: FMMT3638
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для FMMT3638

 

 

FMMT3638 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:45K  diodes
fmmt3903 fmmt3904.pdf

FMMT3638
FMMT3638

SOT23 NPN SILICON PLANARFMMT3903SWITCHING TRANSISTORSFMMT3904ISSUE 2 SEPTEMBER 94 COMPLIMENTARY TYPES FMMT3903 - FMMT3905FMMT3904 - FMMT3906 ECPARTMARKING DETAIL FMMT3903 - 1W BFMMT3904 - 1AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITCollector-Base Voltage VCBO 60 VCollectorEmitter Voltage VCEO 40 VEmitterBase Voltage VEBO 6VContinuous Collec

 9.2. Size:173K  diodes
fmmt3905 fmmt3906.pdf

FMMT3638
FMMT3638

SOT23 PNP SILICON PLANARFMMT3905SWITCHING TRANSISTORSFMMT3906ISSUE 4 MARCH 2000 T I D T I T E T C T T T T VB T T ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T IT DITI I I V I V V I I V V I I V V I I I

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top