Биполярный транзистор FMMT4401
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMMT4401
Маркировка: 1L
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
SOT23
Аналоги (замена) для FMMT4401
FMMT4401
Datasheet (PDF)
..1. Size:29K diodes
fmmt4400 fmmt4401.pdf 
SOT23 NPN SILICON PLANAR400 FMMT4400GENERAL PURPOSE TRANSISTORS401 FMMT4401ISSUE 4 FEBRUARY 1997 E T I D T I T C T VB ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated) T T T I I IT DITI II i V V I I V I II V V I I V I
7.1. Size:30K diodes
fmmt4402 fmmt4403.pdf 
SOT23 PNP SILICON PLANAR402 FMMT4402GENERAL PURPOSE TRANSISTOR403 FMMT4403ISSUE 2 - MARCH 1995 E T I D T I T C T VB ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated) T T T I I IT DITI II i V V I I V I II V V I I V I i V
8.1. Size:27K fairchild semi
fmmt449.pdf 
FMMT449CEB SuperSOTTM-3 NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. Sourced from Process NB. Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter FMMT449 Units30 VVCEO Collector-Emitter Voltage50 VVCBO Collector-Base Voltage5 VVEBO
8.2. Size:110K diodes
fmmt449.pdf 
SOT23 NPN SILICON PLANAR49 FMMT449MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 3 - NOVEMBER 1995 T i I i RCE(sat) 250m at 1AEC T T T T I D T I BABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI II V V I I V I II i V
8.3. Size:730K jiangsu
fmmt449.pdf 
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD J C T SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FMMT449 TRANSISTOR (NPN) SOT23 FEATURES Low Equivalent On-Resistance MARKING: 449 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage 50 V CBO3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage 30 V CEO
8.4. Size:359K htsemi
fmmt449.pdf 
FMMT449 TRANSISTOR (NPN) SOT23 FEATURES Low Equivalent On-Resistance MARKING: 449 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage 50 V CBO3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage 30 V CEOV Emitter-Base Voltage 5 V EBOI Collector Current 1 A CPC Collector Power Dissipation 200
Другие транзисторы... FMMT4258
, FMMT4258A
, FMMT4274
, FMMT4275
, FMMT4354
, FMMT4355
, FMMT4356
, FMMT4400
, 2SD718
, FMMT4402
, FMMT4403
, FMMT449
, FMMT451
, FMMT455
, FMMT458
, FMMT4888
, FMMT4889
.
