Справочник транзисторов. FMMT4402

 

Биполярный транзистор FMMT4402 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: FMMT4402
   Маркировка: 2K
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для FMMT4402

 

 

FMMT4402 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:30K  diodes
fmmt4402 fmmt4403.pdf

FMMT4402
FMMT4402

SOT23 PNP SILICON PLANAR402 FMMT4402GENERAL PURPOSE TRANSISTOR403 FMMT4403ISSUE 2 - MARCH 1995 E T I D T I T C T VB ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated) T T T I I IT DITI II i V V I I V I II V V I I V I i V

 7.1. Size:29K  diodes
fmmt4400 fmmt4401.pdf

FMMT4402
FMMT4402

SOT23 NPN SILICON PLANAR400 FMMT4400GENERAL PURPOSE TRANSISTORS401 FMMT4401ISSUE 4 FEBRUARY 1997 E T I D T I T C T VB ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated) T T T I I IT DITI II i V V I I V I II V V I I V I

 8.1. Size:27K  fairchild semi
fmmt449.pdf

FMMT4402
FMMT4402

FMMT449CEB SuperSOTTM-3 NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. Sourced from Process NB. Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter FMMT449 Units30 VVCEO Collector-Emitter Voltage50 VVCBO Collector-Base Voltage5 VVEBO

 8.2. Size:110K  diodes
fmmt449.pdf

FMMT4402
FMMT4402

SOT23 NPN SILICON PLANAR49 FMMT449MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 3 - NOVEMBER 1995 T i I i RCE(sat) 250m at 1AEC T T T T I D T I BABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI II V V I I V I II i V

 8.3. Size:730K  jiangsu
fmmt449.pdf

FMMT4402
FMMT4402

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD J C T SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FMMT449 TRANSISTOR (NPN) SOT23 FEATURES Low Equivalent On-Resistance MARKING: 449 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage 50 V CBO3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage 30 V CEO

 8.4. Size:359K  htsemi
fmmt449.pdf

FMMT4402

FMMT449 TRANSISTOR (NPN) SOT23 FEATURES Low Equivalent On-Resistance MARKING: 449 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage 50 V CBO3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage 30 V CEOV Emitter-Base Voltage 5 V EBOI Collector Current 1 A CPC Collector Power Dissipation 200

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top