Справочник транзисторов. FMMT558

 

Биполярный транзистор FMMT558 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FMMT558
   Маркировка: 558
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO236
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

FMMT558 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  diodes
fmmt558.pdfpdf_icon

FMMT558

A Product Line ofDiodes Incorporated FMMT558400V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23 Features Mechanical Data BVCEO > -400V Case: SOT23 IC = -150mA high Continuous Collector Current Case material: molded plastic. Green molding compound. ICM = -500mA Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 500mW Power Dissipation Moisture Sensitivity:

 8.1. Size:65K  diodes
fmmt555.pdfpdf_icon

FMMT558

SOT23 PNP SILICON PLANARFMMT555MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 4 AUGUST 2003FEATURES* 150 Volt VCEO* 1 Amp continuous currentEC=IB2=IC/10COMPLEMENTARY TYPE FMMT455tfnsB1000PARTMARKING DETAIL 555800600tdns SOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.400 100PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT200 500 0Collector-Base Voltage VCBO -160 V-1Collector-Emitter Vo

 8.2. Size:27K  diodes
fmmt5550 fmmt5551.pdfpdf_icon

FMMT558

SOT SI I O A A T 0HI H O TA T A SISTO S T ISS O 6 T I D T I T T T T T T T T A SO T A I ATI S T T T IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T T T I I IT DITI II V 8 V I V I II i V V I V I i V V I V I II I V V V V T V VV V T i 8 I V V T 8 I V V

 9.1. Size:135K  fairchild semi
fmmt549.pdfpdf_icon

FMMT558

August 2009FMMT549PNP Low Saturation TransistorFeatures ThIs device is designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. Sourced from process PB.32SuperSOT-231Marking : 5491. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitVCEO Collector-Emi

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: KT666A9 | DTD723YM | BUF460AV | TD648

 

 
Back to Top

 


 
.