FMMT558. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMMT558

Маркировка: 558

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для FMMT558

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMMT558 даташит

 ..1. Size:400K  diodes
fmmt558.pdfpdf_icon

FMMT558

A Product Line of Diodes Incorporated FMMT558 400V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23 Features Mechanical Data BVCEO > -400V Case SOT23 IC = -150mA high Continuous Collector Current Case material molded plastic. Green molding compound. ICM = -500mA Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 500mW Power Dissipation Moisture Sensitivity

 8.1. Size:65K  diodes
fmmt555.pdfpdf_icon

FMMT558

SOT23 PNP SILICON PLANAR FMMT555 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 4 AUGUST 2003 FEATURES * 150 Volt VCEO * 1 Amp continuous current E C =IB2=IC/10 COMPLEMENTARY TYPE FMMT455 tf ns B 1000 PARTMARKING DETAIL 555 800 600 td ns SOT23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. 400 100 PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT 200 50 0 0 Collector-Base Voltage VCBO -160 V -1 Collector-Emitter Vo

 8.2. Size:27K  diodes
fmmt5550 fmmt5551.pdfpdf_icon

FMMT558

SOT SI I O A A T 0 HI H O TA T A SISTO S T ISS O 6 T I D T I T T T T T T T T A SO T A I ATI S T T T IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T T T I I IT DITI II V 8 V I V I II i V V I V I i V V I V I II I V V V V T V V V V T i 8 I V V T 8 I V V

 9.1. Size:135K  fairchild semi
fmmt549.pdfpdf_icon

FMMT558

August 2009 FMMT549 PNP Low Saturation Transistor Features ThIs device is designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. Sourced from process PB. 3 2 SuperSOT-23 1 Marking 549 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Unit VCEO Collector-Emi

Другие транзисторы: FMMT5449, FMMT549, FMMT549A, FMMT551, FMMT555, FMMT5550, FMMT5550R, FMMT5551, 2N2907, FMMT576, FMMT5816, FMMT5855, FMMT5856, FMMT5857, FMMT5858, FMMT589, FMMT591