Биполярный транзистор FMMT930R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMMT930R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO236
FMMT930R Datasheet (PDF)
fmmt92dcsm.pdf
FMMT92DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar PNP Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 300V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.5A C(0.
fmmt92csm.pdf
FMMT92CSMMECHANICAL DATAGENERAL PURPOSE Dimensions in mm (inches)PNP TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALEDCERAMIC SURFACE MOUNT0.51 0.10(0.02 0.004) 0.31rad.(0.012)PACKAGE3FEATURES21 GENERAL PURPOSE PNP TRANSISTOR1.91 0.10(0.075 0.004)A HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT0.31rad.(0.012)3.05 0.13PACKAGE (0.12 0.005)1.40(0.055)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050