Биполярный транзистор FMMTA05R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMMTA05R
Маркировка: NA
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO236
FMMTA05R Datasheet (PDF)
fmmta05 fmmta06.pdf
SOT SI I O A A TA0 DI O T A SISTO S TA06ISS 6 T 8 V I V i I T I D T I T T T T SOT A SO T A I ATI S T T T IT II V I V 8 V II i V I V 8 V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T T T IT DITI I I II i V 8 V I V I i V V I V I II I V V II I V V V 8 V i I V V T i I V V II i V V
fmmta06.pdf
FMMTA06SOT23 NPN SILICON PLANARMEDIUM POWER TRANSISTORSSUMMARYV(BR)CEO > 80VIC(cont) = 500mADESCRIPTION80V medium power NPN transistor in a compact SOT23packageFEATURESSOT23 80V VCEO Compact SOT23 packageSYMBOL HFE 50 @ IC = 100mAAPPLICATIONS Low power motor driving circuitsORDERING INFORMATIONDEVICE REEL TAPE WIDTH QUANTITY PERPINOUTSIZE REEL
fmmta55 fmmta56.pdf
SOT SI I O A A TA DI O T A SISTO S TA 6ISS A A Y 6 T i I T I D T I T T T T SOT A SO T A I ATI S T T T IT II V I V V8 II i V I V V8 i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T T T I I IT DITI II i V 8 V I I V I i V V I I V I II i I V V II I V 8 V I V V I i I V V T i I V V
fmmta42.pdf
A Product Line ofDiodes IncorporatedFMMTA42 300V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23 Features Mechanical Data BVCEO > 300V Case: SOT23 IC = 200mA high Collector Current Case material: molded Plastic. Green molding Compound. 350mW Power dissipation UL Flammability Classification Rating 94V-0 Excellent hFE Characteristics Up To 30mA Moisture Sensi
fmmta20.pdf
SOT SI I O A A TA 0S A SI A T A SISTO ISS A H T I D T I T T T T T SOT A SO T A I ATI S T V IT II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T I IT DITI II V V I I V I i V V I I V I II I V V I i I V V T i II i V V I I i V I T i i I V VT i V V I I i i I i D I i i iI I i i
fmmta70.pdf
SOT SI I O A A TA 0S A SI A T A SISTO ISS A Y 6 T I D T I T I T T T SOT A SO T A I ATI S T V IT II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T I IT DITI II i V V I I V I i V V I I V I II I V V I i I V V T i II i V V I I i V I T i i I V VT i V V I I i i I i D I i i iI I i i
fmmta92.pdf
FMMTA92 300V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23 Features Mechanical Data Case: SOT23 BVCEO > -300V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound IC = -200mA High Continuous Collector Current UL Flammability Classification Rating 94V-0 Complementary Type FMMTA42 Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Totally Lead-Free & Ful
fmmta56.pdf
SOT23 PNP SILICON PLANARFMMTA56MEDIUM POWER TRANSISTORSISSUE 4 MARCH 2001 FEATURESE* Gain of 50 at IC=100mACPARTMARKING DETAIL - FMMTA56 - 2GBFMMTA56R - MBSOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL FMMTA56 UNITCollector-Base Voltage VCBO -80 VCollector-Emitter Voltage VCEO -80 VEmitter-Base Voltage VEBO -4 VContinuous Collector Current IC -500 mAPo
fmmta12-13-14.pdf
SOT SI I O A A TA TA DA I TO T A SISTO S TA ISS D 6 T T T T T T T T I D T I T T T A SO T A I ATI S T T T IT II V I V V II i V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T I IT DITI II i T V V I I V I T VI I II T I V V V II T I V V I T V V I i I V V I i T I V V T T I V V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
