Биполярный транзистор FMS3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMS3
Маркировка: S3
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SC74A
FMS3 Datasheet (PDF)
fms3 fmw3 s3 sot23-5.pdf
FMS3 / FMS4 / IMT4TransistorsTransistorsFMW3 / FMW4 / IMX8(94S-389-A41)(94S-398-C41)578
fms3.pdf
FMS3 / FMS4 / IMT4TransistorsTransistorsFMW3 / FMW4 / IMX8(94S-389-A41)(94S-398-C41)578
fms3.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsFMS3 (KMS3)( )SOT-153 SOT-23-5 Unit: mm0.4+0.1-0.15 4 Features Collector Current Capability IC=-50mA Collector Emitter Voltage VCEO=-120V High breakdown voltage. 1 2 3+0.020.15 -0.02+0.01-0.015 4+0.2-0.11 2 3 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VC
fms3-fms4.pdf
FMS3/FMS4 Dual TransistorSOT-23-5LFeatures High breakdown voltage 2 .8 20MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3. 020 0Dimensions in millimeters0 .3 0080. 500Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector- Base Voltage -120 V 0 .3 000. 600VCEO Collector-Emitter Voltage -120 V 2..6502 950 1 .5 001. 700VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collect
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050