FN1A4Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FN1A4Z

Маркировка: M67_M68_M69

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для FN1A4Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FN1A4Z даташит

 ..1. Size:176K  nec
 fn1a4z fn1l4z.pdf pdf_icon

FN1A4Z

 9.1. Size:168K  nec
 fn1a4m.pdf pdf_icon

FN1A4Z

 9.2. Size:174K  nec
 fn1a4p.pdf pdf_icon

FN1A4Z

Другие транзисторы: FMY1A, FMY3A, FMY4A, FMY5, FMY6, FN1A3Q, FN1A4M, FN1A4P, 2SC2240, FN1F4M, FN1F4N, FN1F4Z, FN1L3M, FN1L3N, FN1L3Z, FN1L4L, FN1L4M