FN1F4M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FN1F4M

Маркировка: M32

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для FN1F4M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FN1F4M даташит

 ..1. Size:180K  nec
 fn1f4m.pdf pdf_icon

FN1F4M

 9.1. Size:169K  nec
 fn1f4n.pdf pdf_icon

FN1F4M

 9.2. Size:152K  nec
 fn1f4z.pdf pdf_icon

FN1F4M

Другие транзисторы: FMY3A, FMY4A, FMY5, FMY6, FN1A3Q, FN1A4M, FN1A4P, FN1A4Z, 2SA1015, FN1F4N, FN1F4Z, FN1L3M, FN1L3N, FN1L3Z, FN1L4L, FN1L4M, FN1L4Z