FN1L4M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FN1L4M

Маркировка: M31

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для FN1L4M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FN1L4M даташит

 ..1. Size:180K  nec
 fn1l4m.pdf pdf_icon

FN1L4M

 9.1. Size:161K  nec
 fn1l4l.pdf pdf_icon

FN1L4M

 9.2. Size:176K  nec
 fn1a4z fn1l4z.pdf pdf_icon

FN1L4M

Другие транзисторы: FN1A4Z, FN1F4M, FN1F4N, FN1F4Z, FN1L3M, FN1L3N, FN1L3Z, FN1L4L, 2N2907, FN1L4Z, FOS100, FOS101, FOS102, FOS104, FP5010, FP50201, FP50301