Биполярный транзистор FN1L4M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: FN1L4M
   Маркировка: M31
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: SOT23

Другие транзисторы... FN1A4Z , FN1F4M , FN1F4N , FN1F4Z , FN1L3M , FN1L3N , FN1L3Z , FN1L4L , MPSA42 , FN1L4Z , FOS100 , FOS101 , FOS102 , FOS104 , FP5010 , FP50201 , FP50301 .