FP5010. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FP5010

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для FP5010

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FP5010 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: FN1L3Z, FN1L4L, FN1L4M, FN1L4Z, FOS100, FOS101, FOS102, FOS104, MJE350, FP50201, FP50301, FP50401, FP50501, FP50801, FP57104, FP57204, FPA683