Биполярный транзистор FT5726DR Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: FT5726DR
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: MACRO-X
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам