FT5727DR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FT5727DR
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: MACRO-X
Аналоги (замена) для FT5727DR
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FT5727DR даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: FT49, FT50, FT5040, FT5041, FT5415, FT5722R, FT5726DR, FT5727BR, 2SC2240, FT5728DR, FT5870, FT5871, FT709, FT7207A, FT7207B, FTR118, FTR129
History: CMLT5088EM
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304
