FX5130. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FX5130

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для FX5130

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FX5130 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: FX4047, FX4207, FX4960, FX4964, FX4965, FX5127, FX5128, FX5129, 13003, FX5131, FX5132, FX5133, FX5134, FX5135, FX5136, FX5137, FX5138