Биполярный транзистор FXT455
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FXT455
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Аналоги (замена) для FXT455
FXT455
Datasheet (PDF)
..1. Size:25K diodes
fxt455.pdf 
NPN SILICON PLANARFXT455MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V
9.1. Size:25K diodes
fxt450.pdf 
NPN SILICON PLANARFXT450MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V
9.2. Size:25K diodes
fxt453.pdf 
NPN SILICON PLANARFXT453MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i T T E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V
9.3. Size:26K diodes
fxt458.pdf 
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER FXT458HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 1 SEPTEMBER 1994 T V I V i T T 8 E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I V I II I
9.4. Size:25K diodes
fxt451.pdf 
NPN SILICON PLANARFXT451MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V 8 V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I
Другие транзисторы... 2N3192
, 2N3193
, 2N3194
, 2N3195
, 2N3196
, 2N3197
, 2N3198
, 2N3199
, BC327
, 2N320
, 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
.
