FXT549. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FXT549

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

 Аналоги (замена) для FXT549

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FXT549 даташит

 ..1. Size:27K  diodes
fxt549.pdfpdf_icon

FXT549

PNP SILICON PLANAR FXT549 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 SEPT 93 T V I V i T T E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I

Другие транзисторы: FXT458, FXT51, FXT51SM, FXT52, FXT52SM, FXT53, FXT53SM, FXT54, 2SC2383, FXT549SM, FXT54SM, FXT55, FXT550, FXT550SM, FXT551, FXT551SM, FXT553