Биполярный транзистор FXT557SM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FXT557SM
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SO98
FXT557SM Datasheet (PDF)
fxt557.pdf
PNP SILICON PLANARFXT557MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 MARCH 94 T V I V i T T E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C) T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II I V V I
fxt555.pdf
PNP SILICON PLANARFXT555MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 MARCH 94 T V I V i T T E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I
fxt551.pdf
PNP SILICON PLANARFXT551MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i T T E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V 8 V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I
fxt553.pdf
PNP SILICON PLANARFXT553MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 FEB 94 T V I V i T T E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V
fxt550.pdf
PNP SILICON PLANARFXT550MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i T T E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
