FXT605SM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FXT605SM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: SO96

 Аналоги (замена) для FXT605SM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FXT605SM даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: FXT55SM, FXT56, FXT56SM, FXT601B, FXT601BSM, FXT603, FXT603SM, FXT605, BD139, FXT614, FXT649, FXT649SM, FXT651, FXT651SM, FXT653, FXT653SM, FXT655