FXT651 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FXT651

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

 Аналоги (замена) для FXT651

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FXT651 даташит

 ..1. Size:28K  diodes
fxt651.pdfpdf_icon

FXT651

NPN SILICON PLANAR FXT651 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V 8 V I I V I II i V V I I V I i

 9.1. Size:25K  diodes
fxt655.pdfpdf_icon

FXT651

NPN SILICON PLANAR FXT655 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II I V V

 9.2. Size:26K  diodes
fxt657.pdfpdf_icon

FXT651

NPN SILICON PLANAR FXT657 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i I TI T I i II i i Vi i E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I

 9.3. Size:28K  diodes
fxt653.pdfpdf_icon

FXT651

NPN SILICON PLANAR FXT653 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V

Другие транзисторы: FXT601BSM, FXT603, FXT603SM, FXT605, FXT605SM, FXT614, FXT649, FXT649SM, C945, FXT651SM, FXT653, FXT653SM, FXT655, FXT655SM, FXT657, FXT657SM, FXT668