Справочник транзисторов. FXT651

 

Биполярный транзистор FXT651 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: FXT651
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

 Аналоги (замена) для FXT651

 

 

FXT651 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:28K  diodes
 fxt651.pdf

FXT651

NPN SILICON PLANARFXT651MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 MARCH 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V 8 V I I V I II i V V I I V I i

 9.1. Size:25K  diodes
 fxt655.pdf

FXT651

NPN SILICON PLANARFXT655MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 FEB 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II I V V

 9.2. Size:26K  diodes
 fxt657.pdf

FXT651

NPN SILICON PLANARFXT657MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 FEB 94 T V I V i I TI T I i II i i Vi i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I

 9.3. Size:28K  diodes
 fxt653.pdf

FXT651

NPN SILICON PLANARFXT653MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 MARCH 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: DTC115EKAFRA | 3DG122

 

 
Back to Top