FXT69 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FXT69

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

 Аналоги (замена) для FXT69

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FXT69 даташит

 0.1. Size:47K  diodes
 fxt690b.pdf pdf_icon

FXT69

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER 0B FXT690B HIGH GAIN TRANSISTOR ISSUE 1 MAY 94 T V I V i I V V I i I I TI D Ii I i D i i i E-Line V i TO92 Compatible T T ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V IT i V I V V I I i II I i I Di i i Di i i T i T T T T i i i i i i i i I i I i i i ELECTRICAL

Другие транзисторы: FXT655, FXT655SM, FXT657, FXT657SM, FXT668, FXT68, FXT686M, FXT688B, 13007, FXT690B, FXT69SM, FXT704, FXT705, FXT749, FXT749SM, FXT751, FXT751SM