FXT749 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FXT749

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

 Аналоги (замена) для FXT749

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FXT749 даташит

 ..1. Size:28K  diodes
 fxt749.pdf pdf_icon

FXT749

PNP SILICON PLANAR FXT749 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I

Другие транзисторы: FXT68, FXT686M, FXT688B, FXT69, FXT690B, FXT69SM, FXT704, FXT705, TIP42C, FXT749SM, FXT751, FXT751SM, FXT753, FXT753SM, FXT755, FXT755SM, FXT757SM