FXT755SM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FXT755SM

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SO96

 Аналоги (замена) для FXT755SM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FXT755SM даташит

 8.1. Size:26K  diodes
fxt755.pdfpdf_icon

FXT755SM

PNP SILICON PLANAR FXT755 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II I V V

 9.1. Size:25K  diodes
fxt757.pdfpdf_icon

FXT755SM

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER FXT757 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II

 9.2. Size:27K  diodes
fxt751.pdfpdf_icon

FXT755SM

PNP SILICON PLANAR FXT751 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i I TI I I i i i i i I T T E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V 8 V I I V I

 9.3. Size:41K  diodes
fxt753.pdfpdf_icon

FXT755SM

PNP SILICON PLANAR FXT753 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i I TI I I i i i i i I T T i E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I

Другие транзисторы: FXT705, FXT749, FXT749SM, FXT751, FXT751SM, FXT753, FXT753SM, FXT755, 13003, FXT757SM, FXT788B, FXT790A, FXTA42, FXTA42SM, FXTA92, FXTA92SM, FZT2222