G2N3055 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: G2N3055

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для G2N3055

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

G2N3055 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: FZT951, FZT953, FZT955, FZT956, FZT957, FZT958, FZT968, G2N2955, BD333, G6004, G6005, GA52829, GA52830, GA52837, GA52996, GA53104, GA53149