GBD646 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GBD646

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для GBD646

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GBD646 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GA53270, GBC109, GBD179, GBD189, GBD190, GBD266, GBD267, GBD645, TIP122, GC100, GC101, GC102, GC103, GC104, GC111, GC112, GC115