Биполярный транзистор GC104 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: GC104
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.03 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO1
GC104 Datasheet (PDF)
sigc104t170r2c.pdf
SIGC104T170R2C IGBT Chip in NPT-technology CFEATURES: This chip is used for: 1700V NPT technology 280m chip chip only short circuit prove positive temperature coefficient Applications: G easy paralleling E drives Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering Code Q67041-A4695-SIGC104T170R2C 1700V 50A 10.12 x 10.18 mm2 sawn on foil A001
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .