GC104 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GC104

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.03 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для GC104

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GC104 даташит

 0.1. Size:65K  infineon
 sigc104t170r2c.pdf pdf_icon

GC104

SIGC104T170R2C IGBT Chip in NPT-technology C FEATURES This chip is used for 1700V NPT technology 280 m chip chip only short circuit prove positive temperature coefficient Applications G easy paralleling E drives Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering Code Q67041-A4695- SIGC104T170R2C 1700V 50A 10.12 x 10.18 mm2 sawn on foil A001

Другие транзисторы: GBD266, GBD267, GBD645, GBD646, GC100, GC101, GC102, GC103, D882, GC111, GC112, GC115, GC116, GC117, GC118, GC120, GC121