GC115 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GC115

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.07 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для GC115

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GC115 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GBD646, GC100, GC101, GC102, GC103, GC104, GC111, GC112, 13009, GC116, GC117, GC118, GC120, GC121, GC122, GC123, GC181