GD133 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GD133

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для GD133

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD133 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GCN56, GD100, GD110, GD114, GD115, GD120, GD125, GD130, 2N3904, GD134, GD135, GD142, GD150, GD151, GD152, GD160, GD160A