GD241B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GD241B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для GD241B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD241B даташит

Другие транзисторы: GD200, GD203, GD207, GD210, GD220, GD240, GD241, GD241A, MJE340, GD242, GD243, GD244, GD340, GD341, GD361, GD362, GD363