GD384 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GD384

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для GD384

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD384 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GD243, GD244, GD340, GD341, GD361, GD362, GD363, GD364, BC558, GD607, GD608, GD609, GD617, GD618, GD619, GE10000, GE10001