GE10015 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: GE10015
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для GE10015
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
GE10015 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: GE10002, GE10003, GE10004, GE10005, GE10006, GE10007, GE10008, GE10009, 13005, GE10016, GE10020, GE10021, GE10022, GE10023, GE-193, GE5060, GE5061
History: GE10007
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet
