GE10016 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GE10016

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GE10016

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GE10016 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GE10003, GE10004, GE10005, GE10006, GE10007, GE10008, GE10009, GE10015, D209L, GE10020, GE10021, GE10022, GE10023, GE-193, GE5060, GE5061, GE5062