GE10020 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: GE10020
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для GE10020
GE10020 Datasheet (PDF)
NO PDF!
Другие транзисторы... GE10004 , GE10005 , GE10006 , GE10007 , GE10008 , GE10009 , GE10015 , GE10016 , D880 , GE10021 , GE10022 , GE10023 , GE-193 , GE5060 , GE5061 , GE5062 , GE55821 .
History: FV3299 | 2PD602AXL
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet