GES3396 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GES3396

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GES3396

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES3396 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES3251A, GES3390, GES3391, GES3391A, GES3392, GES3393, GES3394, GES3395, 2SA1837, GES3397, GES3398, GES3402, GES3403, GES3404, GES3405, GES3414, GES3415