GES3417 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: GES3417
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для GES3417
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
GES3417 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: GES3398, GES3402, GES3403, GES3404, GES3405, GES3414, GES3415, GES3416, 2SC2625, GES3494, GES3495, GES3496, GES3497, GES3499, GES3563, GES3564, GES3565
History: DTC143EM3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor
