GES3497 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GES3497

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GES3497

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES3497 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES3405, GES3414, GES3415, GES3416, GES3417, GES3494, GES3495, GES3496, TIP42, GES3499, GES3563, GES3564, GES3565, GES3566, GES3567, GES3568, GES3569