GES3499 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GES3499

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GES3499

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES3499 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES3414, GES3415, GES3416, GES3417, GES3494, GES3495, GES3496, GES3497, C3198, GES3563, GES3564, GES3565, GES3566, GES3567, GES3568, GES3569, GES3634