GES3638. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES3638

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES3638

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES3638 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES3566, GES3567, GES3568, GES3569, GES3634, GES3635, GES3636, GES3637, NJW0281G, GES3638A, GES3639, GES3640, GES3641, GES3642, GES3643, GES3644, GES3645