GES3639. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES3639

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 6 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES3639

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES3639 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES3568, GES3569, GES3634, GES3635, GES3636, GES3637, GES3638, GES3638A, 2SD669A, GES3640, GES3641, GES3642, GES3643, GES3644, GES3645, GES3646, GES3691